三星 840 EVO系列采用第四代3核心400Mhz主控,256MB高速緩存TLC架構(gòu) 120GB NAND閃存。三星的兩項(xiàng)獨(dú)門技術(shù)可以有效提升硬盤速度,開啟Magician軟件的RAPID 高速緩存功能,可以利用空閑的內(nèi)存,讀寫速度可以達(dá)到1GB/s以上;TurboWrite技術(shù)可以將一部分TLC當(dāng)做SLC使用,能夠達(dá)到SLC的寫入速度(讀540MB/s寫410MB/s),但是如果超過設(shè)定的容量,讀寫速度會(huì)降到的MLC正常水平。
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